4G 模组(LTE Cat.4 及以上)市场调研报告
2026 年版 · 数据窗口 2025 全年 · 面向存储与配套原厂的应用机会分析 | 编制日期 2026-09-21 | 版本号 Rev 1.0
本报告的分母是模组本身的年出货块数(约 1.35 亿块,2025 年测算),不是模组所装入的整机台数。它与 CPE、MiFi、工业路由器、IPC 等「整机型」报告的 TAM 存在包含关系,不可相加——整机型报告算的是整机主板的存储,本报告算的是无线通信模组这一块板子的存储。覆盖范围限于 LTE Cat.4 / Cat.6 / Cat.12 及 4G 智能模组(SOM),不含 Cat.1、5G 与 NB-IoT。存储范围限于模组板上的 NAND(含 NAND MCP 合封)、PPI / SPI / SD NAND 与 eMMC,不含主控 SoC 片内 NVM。容量单位一律用 bit(Mb / Gb),只有 eMMC 用 byte(MB / GB);官方资料以字节标注处已按乘 8 换算。凡标注测算的数字均为报告按公开数据推算,非机构实测值。
① XTX 没有 PSRAM、也没有 LPDDR 单品,DRAM 仅 DDR3L 2 款 + SDRAM 1 款且零量产。按单品去打 4G 模组必输;NAND MCP 把 DRAM 和 NAND 封进同一颗 BGA,是绕开这条限制的唯一现实路径,也是本报告的主线。② 4 款量产 MCP 的低温只到 −25 / −30 °C,不满足工业级 −40 °C;唯一 −40 °C 的 XT63M4G8E6MU(4G4GD4X)对准 5G RedCap,且仍在 SS 送样。③ 佰维存储已量产 eMMC / LPDDR / eMCP / uMCP,并已进入移远通信、广和通、美格智能——这三家同时也是本系列的目标客户,竞争窗口不是无限的。
0 · 什么是 4G模组
4G 模组(LTE Cat.4 及以上)是蜂窝物联网品类里「XTX 与客户需求咬合最紧」的一块:全球年出货 1.35 亿块、板上存储 TAM 19.3 亿元,可覆盖比例高达 80%——本目录三个蜂窝品类里最高。但原因不是产品线齐全,而是 NAND MCP 绕开了 LPDDR 缺口:75% 的量走 NAND + LPDDR 合封的单颗方案。真正要命的门槛既不是容量也不是价格,而是温度。
0.1 一句话定义
4G 模组 = 基带 SoC + 射频前端 + 电源 + 板上存储,是把蜂窝网络能力做成可贴装器件的通信单元。它的内核是「主存合封、启动外挂」:Cat.4 长期采用 NAND + LPDDR2 合封的单颗方案——移远 EC20 R2.1(高通 MDM9x15)内置 512 MB NAND + 256 MB LPDDR2,折算即 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2,与库内 XT61M4G8D2TA(4G2GD2)完全对得上;再外挂一颗 SPI NOR 承担启动与代码。技术
按制式与量级分三档,价值差异清晰:① 入门档(占 30% 的量)——256 MB + 128 MB 一类配置,对应 2—4 Gb NAND + 2 Gb DDR2;② 主流档(占 45% 的量)——整个 4G 机会的基本盘,PPI NAND 1—8 Gb 与 SPI NAND 4—8 Gb 并行;③ 高端 Cat.6 / Cat.12 与工业路由档——SPI NAND 4—8 Gb,新设计优先推 SPI NAND、并行形态守存量。量的趋势已经反转:Cat.4 在 2025E 的 1.00 亿片达峰,2030E 回落到 0.70 亿片——量在退、值在涨,规划要按价值做,不能按出货量做。
① LTE Cat.1 模组:速率与架构不同,约 35% 的量采用 SoC 内置存储或 RAMLESS 架构,板上根本没有外挂位置,属独立品类、不计入;② 5G 模组:单机存储价值 27.4 元、主力走 eMMC + LPDDR4x,属独立品类、不计入;③ 蜂窝物联网模组(M2M)总量口径:含 LPWA / Cat.1 / 4G / 5G 全部制式的汇总统计,仅作总量参照,本报告不重复计入。
0.2 与「上一代 2G / 3G 模组」的三点不同
| 对比维度 | 上一代 2G / 3G 模组 | 现代 4G Cat.4 及以上模组 |
|---|---|---|
| 制式与速率 | GPRS / CDMA 1X / 3G | LTE Cat.4 起步,向上到 Cat.6 / Cat.12 |
| 主存储形态 | 小容量 NOR + 片内 RAM | NAND + LPDDR2 合封单颗,75% 的量走这条路 |
| 典型合封配置 | 容量零散、平台各异 | 入门 2—4 Gb NAND + 2 Gb DDR2;主流 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2 |
| 启动存储 | SPI NOR 8—32 Mb | SPI NOR 32—128 Mb,1.8 V 与 3.3 V 双版本 |
| 温度门槛 | 商业级 0~70℃ | 客户要 −40℃,而 4 款量产 MCP 低温只到 −25 / −30℃ |
| 竞争格局 | 无强对标 | 佰维已量产 eMMC / LPDDR / eMCP / uMCP,并已进入移远、广和通、美格 |
| 量的趋势 | 逐年退出 | Cat.4 2025E 的 1.00 亿片达峰,2030E 回落至 0.70 亿片 |
| 用户结果 | 能传数据 | 能联网、能定位、能远程升级与断网续传 |
这张表里最该被器件厂商记住的是主存储形态与温度门槛两行:NAND MCP 是本品类唯一绕开 LPDDR 缺口的路径——库内没有 PSRAM、DRAM 也只有零星几款,按单品去打 4G 模组必输;但把 NAND 与 DDR2 合封成一颗,就正好落进 XT61M4G8D2TA(4G2GD2)这种已在量产的位置,这也是可覆盖比例能到 80% 的真正原因。另一行是必须坦白的硬约束:4 款量产 MCP 的低温上限只到 −25 / −30℃,而工业路由器、车载与表计客户要的是 −40℃——温度不达标,容量再合适也进不去。此外要盯紧两件外部变量:佰维已经在客户里面(eMMC / LPDDR / eMCP / uMCP 全系量产,客户含移远、广和通、美格),竞争窗口在收窄;而 2026—2027 年的 DRAM 短缺既是风险也是机会——依赖 DDR3 / DDR4 的机型会被迫找合封替代路径,这正是 MCP 的切入口。事实
0.3 典型形态与代表产品
| 档位 / 部件 | 代表产品 | 价格带 | 关键数据 |
|---|---|---|---|
| 入门档(30% 的量) | 移远 EC20 系列一类 Cat.4 模组 | — | 256 MB NAND + 128 MB LPDDR2;对应 2—4 Gb NAND + 2 Gb DDR2 |
| 主流档(45% 的量) | Cat.4 主力模组与工业路由 | — | PPI NAND 1—8 Gb(守存量)+ SPI NAND 4—8 Gb(新设计优先推) |
| 高端 Cat.6 / Cat.12 | Cat.6 / Cat.12 与工业路由类 | — | SPI NAND 4—8 Gb,是容量上探的主战场、替换风险低 |
| 市场与格局 | 全球 4G 模组年出货 1.35 亿块 | — | 板上存储 TAM 19.3 亿元;XTX 可覆盖比例 80%、75% 的量走 NAND MCP |
| 存储切入点 | NAND MCP 合封(4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2) | — | XT61M4G8D2TA 已量产,与移远 EC20 R2.1 配置完全对应 |
0.4 拆开看:三处存储与电源的硬件构成
| 位置 | 主控 | 存储 | 电源与驱动 | XTX 能否覆盖 |
|---|---|---|---|---|
| NAND MCP 合封位(主存) | 基带 SoC(高通 MDM9x15 / MDM9x07、展锐平台) | 2—4 Gb NAND + 2 Gb DDR2 / LPDDR2 合封(XT61M4G8D2TA 已量产,与移远 EC20 R2.1 的 512 MB + 256 MB 完全对应) | 基带核供电、射频供电 | 重点可覆盖(本品类最核心的一颗;绕开 LPDDR 缺口的唯一现实路径,但要解决 −40℃ 低温限制) |
| Boot NOR 位(启动与代码) | 基带 SoC | SPI NOR 32—128 Mb,1.8 V 与 3.3 V 双版本齐全 | SoC 核供电、接口供电 | 重点可覆盖(供给充分、立刻能供货,是套片搭售的入口) |
| 系统存储位(扩容与日志) | 基带 SoC | SPI NAND 4—8 Gb(新设计优先)与 PPI NAND 1—8 Gb(守老平台存量) | 多路 LDO 与 Buck | 可覆盖(SPI NAND 是三类 NAND 形态里机会最大的一块;并行形态只做存量替换) |
这张表解释了本报告的核心结论:4G 模组是「NAND MCP 一根针挑大梁」的品类,也是本目录可覆盖比例最高(80%)的一块。可操作的三点:① NAND MCP 合封是第一优先——XT61M4G8D2TA(4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2)与移远 EC20 R2.1 完全对应、已在量产,覆盖入门档 30% 与主流档 45% 合计 75% 的量,是套片搭售的主载体;② SPI NAND 4—8 Gb 打新设计——高端 Cat.6 / Cat.12 与工业路由的共同落点,替换风险低;PPI NAND 1—8 Gb 只守 MDM9x15 / MDM9x07 与展锐老平台的存量维护位;③ 温度是必须正面攻坚的一关——现有 4 款量产 MCP 低温只到 −25 / −30℃,要啃工业路由与车载客户就得先把 −40℃ 机型做出来,否则容量再对也过不了认证。整体账是:TAM 19.3 亿元、可覆盖 80%,但量的天花板已现(2030E 出货回到 0.70 亿片),资源要按价值密度排、不要按台数排。测算
4G 模组是「可覆盖比例最高(80%)、方向最明确」的蜂窝品类:全球 1.35 亿块、TAM 19.3 亿元,75% 的量走 NAND MCP 合封。打法上以 XT61M4G8D2TA(4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2,对标移远 EC20 R2.1)为核心载体拿下入门与主流两档,用 SPI NAND 4—8 Gb 打高端与工业路由的新设计、PPI NAND 1—8 Gb 守老平台存量;同时把 −40℃ 低温机型作为攻坚项(现有 4 款量产 MCP 只到 −25 / −30℃),并正视佰维已进入移远、广和通、美格的竞争现实。量在退、值在涨,规划按价值做。
1 · 摘要与核心结论
1.1 八条核心结论
| # | 结论 | 关键依据 |
|---|---|---|
| 1 | 4G Cat.4 是 NAND MCP 的主战场,也是 XTX 产品线与客户需求咬合最紧的一块。移远 EC20 R2.1(高通 MDM9x15,Cat.4,下行 150 Mbps)内置 512 MB NAND + 256 MB LPDDR2,折算即 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2,与 XT61M4G8D2TA(4G2GD2,已量产)完全对应。这不是「容量接近」,而是一颗料对一颗料——客户不需要改板、不需要改驱动,这是三份蜂窝报告里唯一的一条。 | 移远 EC20 R2.1 规格书;容量已按乘 8 换算为 bit |
| 2 | 80% 可覆盖率是三个品类里最高的,但原因不是产品线齐全,而是 MCP 绕开了 LPDDR 缺口。入门档 30% 与主流档 45% 合计 75% 的量走合封,DRAM 已随 MCP 交付,不额外扣分;扣分只在高端分立式 LPDDR(按 15% 扣)与 4G 智能模组的 eMMC(按 55% 扣)。XTX 没有 PSRAM 也没有 LPDDR,但客户买的是一颗料,XTX 交的也是一颗料——产品线缺口被结构性地绕过去了。 | 第 3.3 节测算;分档与扣分口径见 3.3 节表格 |
| 3 | 唯一要命的门槛是温度,不是容量、也不是价格。4 款量产 MCP 的低温只到 −25 / −30 °C,而工业路由器、车载与表计客户要的是 −40 °C。这类客户导入周期 9—18 个月,温度不达标连送样资格都没有。把 4G2GD2 与 2G2GD2 推到 −40 °C,是这份报告里投入产出比最高的单一动作。 | 厂商产品库实测(2026-08 扫描,535 款存储) |
| 4 | 竞争窗口在收窄,而且对手已经在客户里面。佰维存储已量产 eMMC / LPDDR / eMCP / uMCP,并已进入移远通信、广和通、美格智能的 5G / 4G / 智能模组。这三家同时也是本系列的目标客户。晚一步就从第一供应商变成第二供应商,而第二供应商在 4G 这种标准品上基本没有溢价。 | 第 5.2 节与第 8.1 节;竞争对标见 2.5 节 |
| 5 | 2026—2027 年的 DRAM 短缺是切入机会,不是只有风险。TSR 预警 DRAM 短缺将冲击依赖 DDR3 / DDR4 的智能手持终端、智能 POS、工业路由器、高端 IPC 与工业 PC,尤其搭载 2—3 GB LPDDR4 的 4G 智能模组。客户被迫重新选料的窗口里,MCP(DRAM 已封在同一颗料里)比分立方案更好过——这是 XTX 用合封形态换份额的现实时机。 | TSR 预警(2026-02);广和通 2026-06 降容案例 |
| 6 | 量在退,值在涨——规划要按价值做,不能按出货量做。Cat.4 在 2025E 的 1.00 亿片达峰后逐年回落,2030E 降到 0.70 亿片;Cat.6 / Cat.12 从 0.46 亿片降到 0.10 亿片。但加权单机存储价值 14.3 元,是 Cat.1(1.57 元)的 9.1 倍。板上存储 TAM 19.3 亿元、SAM 15.4 亿元,都是三个品类里最大的一块。 | AIoT 星图研究院制式拆分;第 3.3 节测算 |
| 7 | 付费方是模组厂与整机厂,不是芯片方案商。移远 36%、中国移动 11%、日海智能 8%(Counterpoint 2025 全年);利尔达 7.8%(TSR)。高通主导 5G 与高端 4G 平台,但它不为一颗 MCP 的选型负责——它只提供参考设计。进模组厂的参考设计 = 进了半个机型。 | Counterpoint / TSR 2025;第 2.5 节展开 |
| 8 | 分母口径必须先说清,否则三份报告会算重。本报告分母是模组(约 1.35 亿块),与整机型报告存在包含关系,不可相加;Cat.1 / 4G / 5G 三份分母互斥,可以相加;NB-IoT 与 Cat.M 不计入任何分母(西班牙 V16 法规带来的 3000 万片是 NB-IoT 的量)。另外 TSR 的 5.44 亿片(窄口径)与 AIoT 星图的 6.30 亿片(全口径)必须并列写出。 | _DATA_CELL 第 0 节与第 1 节;2.4 节展开 |
1.2 一页看懂这张表
把三个数放在一起看,这个品类的全貌就清楚了:1.35 亿块是分母,14.3 元是加权单机存储价值,19.3 亿元是板上存储 TAM。跟另外两个品类比,4G 的位置很特别——它的出货量只有 Cat.1 的 45%,但单机存储价值是 Cat.1 的 9.1 倍,TAM 是 Cat.1 的 4.1 倍。4G 不是量最大的那个,是值最大的那个。
值之所以高,是因为 4G 模组长期采用 NAND + LPDDR2 合封的单颗方案:最典型的移远 EC20 R2.1 是 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2,正好是 XT61M4G8D2TA(4G2GD2)。这意味着主流 Cat.4 这一档(占 45% 的量)XTX 有现成的量产料可以直接对位,不需要等新产品、不需要客户改板。这正是 4G 可覆盖比例能做到 80% 的原因——也是三份报告里唯一一个「现有产品线与客户需求天然咬合」的品类。
但同样要盯住两件事。一是温度:4 款量产 MCP 全部停在 −25 / −30 °C,工业客户要 −40 °C,这道门槛不解决,80% 的覆盖率里最值钱的那部分就落不了地。二是对手已经进场:佰维已经在向移远、广和通、美格供 eMCP / uMCP,窗口是按季度收窄的,不是按年。所以这份报告的建议只有两句:把 4G2GD2 与 2G2GD2 推到 −40 °C,然后抢在客户下一代 Cat.4 平台定料之前进参考设计。
1.3 图表索引
| 图号 | 图表 | 所在章节 | 图号 | 图表 | 所在章节 |
|---|---|---|---|---|---|
| 图 1 | 2025 年蜂窝模组出货的制式结构 | 2.1 过去三年 | 图 10 | 代表机型的内置存储配置 | 4.1 容量演进 |
| 图 2 | 蜂窝模组出货量(2024 vs 2025E) | 2.1 过去三年 | 图 11 | 4G 模组按制式的出货结构 | 4.2 制式演进 |
| 图 3 | 蜂窝模组出货量(2024—2030E) | 2.2 未来五年 | 图 12 | 主要 4G 平台的板载 NAND 容量 | 5.1 主控与通信平台 |
| 图 4 | 全球模组厂出货份额 | 2.3 竞争格局 | 图 13 | 各存储形态的出货占比 | 5.2 存储方案对比 |
| 图 5 | 4G 模组出货推算区间 | 2.4 分母 | 图 14 | 单机电源器件数量 | 3.4 电源与驱动 |
| 图 6 | 4G 模组分档年出货量与占比 | 3.1 出货量拆解 | 图 15 | 4G 模组硬件系统框图 | 7.1 硬件系统 |
| 图 7 | 分档板上 NAND 容量区间 | 3.2 单机存储用量 | 图 16 | 存储层次与数据流 | 7.2 存储层次 |
| 图 8 | 板上存储 TAM 分档 | 3.3 存储 TAM | 图 17 | 软件栈与启动链 | 7.3 软件栈 |
| 图 9 | 分档单机存储 BOM 价值量 | 3.3 存储 TAM | 图 18 | XTX 可覆盖存储价值量 | 10.4 价值量测算 |
本报告共 18 张图。图 1—5 在第 2 章,图 6—9 在第 3 章,图 10—11 在第 4 章,图 12—13 在第 5 章,图 14 在第 3.4 节(电源与驱动用量),图 15—17 在第 7 章,图 18 在第 10 章。
2 · 市场规模
出货已在 2025 年见顶,值还在涨,TAM 2026 年触顶——规划要按价值做,不能按块数做。
2.1 过去三年(2023—2025):三套口径打架,但 4G 的位置很清楚
蜂窝物联网模组这个品类有个绕不开的麻烦:没有任何一个机构口径是完整的。TSR 明确排除汽车 OEM Telematics、移动宽带终端、CPE 与 PC;Counterpoint 是宽口径但只公布增速不公布绝对值;AIoT 星图研究院(引 IoT Analytics)给的是全口径的分制式拆分。所以本报告的整个推算,只能把三套口径并列放在一起,再从 AIoT 星图的制式拆分里取分母。
| 机构 | 发布 | 2025 全球蜂窝物联网模组出货 | 同比 | 口径 |
|---|---|---|---|---|
| Counterpoint Research | 2026-03 | 未公布绝对值 | +15% | 宽口径:含车联网、路由器 / CPE、PC |
| Techno Systems Research(TSR) | 2026-02 | 5.44 亿片,收入约 39.3 亿美元 | +23% | 窄口径:明确排除汽车 OEM Telematics、移动宽带终端、CPE、PC |
| AIoT 星图研究院(引 IoT Analytics) | 白皮书 | 2024 年 5.45 亿片 → 2025E 6.30 亿片 | — | 全口径,且给出分制式拆分 |
TSR 预计 2026 年增速放缓至 8.8%。Counterpoint 分区域:印度 +33%(2025 全年)/ +40%(Q3),中国 +15%(全年)/ +7%(Q3),欧洲 +11%(Q3),北美 +4%(Q3),拉美 Q2 +32%。
这张图里只有两列是本报告的分母:Cat.4(1.00 亿片)与 4G 其他(Cat.6 / Cat.12,0.46 亿片),合计 1.46 亿片。其余的 Cat.1 / Cat.1 bis 归另一份报告,5G 与 RedCap 归第三份,NB-IoT 不属于本系列,只作对比,不计入任何分母。所以 4G 在 2025 年全球蜂窝模组里占约 23.2%测算——它是三大品类里量居中、但值最高的一块。
| 制式 | 2024 | 2025E | 2026E | 2027E | 2028E | 2029E | 2030E |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Cat.4 | 9000 | 10000 | 9200 | 8500 | 8200 | 7600 | 7000 |
| 4G 其他(Cat.6 / Cat.12 等) | 4500 | 4600 | 3500 | 2000 | 1200 | 1100 | 1000 |
| 本报告分母(两者合计) | 1.35 亿 | 1.46 亿 | 1.27 亿 | 1.05 亿 | 0.94 亿 | 0.87 亿 | 0.80 亿 |
| Cat.1 / Cat.1 bis(另一份报告) | 25700 | 27500 | 33000 | 36000 | 38000 | 39000 | 40000 |
| NB-IoT(不计入本系列) | 6700 | 5600 | 5000 | 4600 | 4000 | 3000 | 2500 |
| 5G(含 RedCap,第三份报告) | 4100 | 6800 | 11500 | 17100 | 23500 | 30000 | 36000 |
单位:万片。AIoT 星图研究院(引 IoT Analytics)白皮书口径。「5G(含 RedCap)」为 5G、5G RedCap、5G eRedCap 三行相加(报告测算),仅用于说明品类间的分母互斥关系。
2023—2025 年蜂窝物联网的增长从「连接数驱动」切换为「制式分层驱动」:Cat.1 吃掉了 2G/3G 退网的量,5G 在涨,而 4G Cat.4 在 2025E 恰好走到它的历史顶点。对存储厂商来说这不是坏消息——4G 是唯一一个「单机存储价值已经很高、且形态已经稳定在 MCP 上」的品类,顶点之后拼的是单机价值,不是出货块数。
2.2 未来五年(2026—2030):出货下滑,单机价值上行,TAM 2026 年见顶
未来五年 4G 模组的出货是往下走的:Cat.4 从 2025E 的 1.00 亿片降到 2030E 的 0.70 亿片;Cat.6 / Cat.12 从 0.46 亿片降到 0.10 亿片,降幅 78%。两者合计从 1.46 亿片降到 0.80 亿片,五年 减少 45%测算。这是 5G RedCap 下沉与 Cat.1 上挤的双向夹击结果。
| 年份 | 4G 模组出货(亿块) | 加权单机存储(元) | 板上存储 TAM(亿元) | 判断 |
|---|---|---|---|---|
| 2025 | 1.35 | 14.3 | 19.3 | 基准年,本报告全部测算的锚点 |
| 2026E | 1.27 | 14.6 | 18.5 | TAM 见顶,单机价值上行抵消不了出货下滑 |
| 2027E | 1.05 | 15.0 | 15.8 | Cat.6 / Cat.12 加速退场,高端档占比被动上升 |
| 2028E | 0.94 | 15.3 | 14.4 | RedCap 开始分流中高端 4G |
| 2029E | 0.87 | 15.6 | 13.6 | 存量维护与工业长尾为主 |
| 2030E | 0.80 | 16.0 | 12.8 | 出货仅为 2025 年的 59%,TAM 为 66% |
2025 年为报告测算;2026E 起按 AIoT 星图研究院的 Cat.4 与 4G 其他出货外推,加权单机存储价值按容量上探年增约 2% 假设(报告测算)。该外推为报告假设,非机构预测。
| 制式 | 2015—2022 | 2023—2025 | 2026—2030 | 对存储的意义 |
|---|---|---|---|---|
| Cat.1 / Cat.1 bis | 起步期 | 爆发期,占比冲到约 50% | 成熟期,增速放缓到个位数 | NOR 为主,外挂存储在被 SoC 吃掉 |
| Cat.4 | 主力期,EC20 一代打天下 | 顶点期,2025E 达峰 1.00 亿片 | 缓慢下行,2030E 0.70 亿片 | NAND MCP 的基本盘,形态稳定 |
| Cat.6 / Cat.12 | 高端小众 | 顶点期 | 快速退场,2030E 仅 0.10 亿片 | 4—8 Gb 分立 NAND 的窗口同步收窄 |
| 4G 智能模组(SOM) | 起步 | 渗透中 | 结构与手机趋同,量小值高 | eMMC 8—16 GB,XTX 无量产型号 |
| 5G RedCap | 无 | 起步(2025E 800 万片) | TSR 预计 2027—2028 才广泛应用 | 与 Cat.4 Pin-to-Pin,是第三份报告的重点 |
上面这张 TAM 外推表里,出货量的外推比单机价值的外推可靠得多。出货量直接跟着 AIoT 星图的制式拆分走,而单机价值同时受两股相反的力:容量上探(4 Gb 往 8 Gb 走)与智能模组占比上升往上推,存储涨价周期结束往下压。本报告取的是「容量上探略占上风」的中性假设。但真正需要警惕的不是涨价周期,而是Cat.6 / Cat.12 的退场速度——它带走的正是最需要用分立 4—8 Gb NAND 的那一档,退得越快,4G 侧的总 TAM 掉得越狠。
2.3 竞争格局:模组厂高度集中,芯片厂正在换班
模组厂这一侧的集中度极高:移远通信一家占 36%,前四家(移远、中国移动、日海智能、利尔达)合计约 62.8%测算。中国厂商合计约占全球模组市场 90%、芯片市场 85%(TSR)。这是本报告最重要的一条客户信息——4G 模组的存储选型,实际上由不到十家模组厂决定。
| 排名 | 厂商 | 份额 | 同比 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 移远通信 Quectel | 36% | +11% | 国内外双线第一;月产能 >3000 万片。EC20 R2.1 就是它的机型,是本报告的头号目标客户 |
| 2 | 中国移动(中移物联) | 11% | +45% | 运营商驱动:两轮车、资产追踪、AI 玩具 |
| 3 | 日海智能(芯讯通 SIMCom + 龙尚 Longsung) | 8% | +37% | 工业 PC、智能表计、监控摄像头;2025 Q2 超越广和通升至第三 |
| 4 | 利尔达 Lierda | TSR 口径 7.8% | +69%(Q3 +73%) | 增速最快;Cat.1 bis + 韩国 / 东南亚 / 欧洲出海 |
| — | Telit Cinterion | — | +13% | 中国以外第一;欧洲与北美的 Telematics、医疗、能源 |
| — | ZXinfoTek(中兴物联系) | — | 强劲 | Cat.1 bis 段,POS 与 IPC |
| — | Cavli Wireless | — | — | 印度本土最大供应商,约占印度市场 10% |
份额为 Counterpoint 2025 全年出货份额;利尔达 7.8% 为 TSR 口径。移远地缘应对:向美国俄亥俄州 Eagle Electronics 授权技术与参考设计,2025 Q3 起出货美国产模组。
| 芯片厂 | 2025 年动向 | 对 4G 存储选型的影响 |
|---|---|---|
| 翱捷科技 ASR | 份额提升;主攻 Cat.1 bis | 4G 侧存在感弱,机会小 |
| 移芯通信 Eigencomm | 份额提升;主攻 Cat.1 bis | 同上 |
| 芯翼信息 XinyiSemi | 份额提升 | 同上 |
| 紫光展锐 UNISOC | 份额下降;老 4G 平台仍在存量 | 老展锐 4G 平台多用 PPI NAND,是存量守盘位 |
| 高通 Qualcomm | 份额下降,但仍主导 5G 与高端 4G(Cat.4 / Cat.6),用于汽车、PC、路由器 / CPE | EC20 R2.1 的 MDM9x15 就是高通平台,高端 4G 的参考设计由它定义 |
| 海思 HiSilicon | 2026 年预计快速增长,从移芯与 ASR 手中夺取份额;5G RedCap 芯片已取得早期优势 | 2026—2027 年可能出现新的 4G / RedCap 平台,是参考设计清单刷新的窗口 |
| 中国初创 RedCap 芯片厂 | 2027 年后有望凭低成本 RedCap 芯片分食份额 | 长期看会进一步压低 4G 中高端的价格 |
TSR 2025:前五大芯片厂合计 92%(ASR、移芯、芯翼、展锐、高通)。LTE Cat.M 主要由西方厂商主导,中国厂商尚未进入。
| 口径 | 5G 占比 | 统计边界 | 对本系列的启示 |
|---|---|---|---|
| TSR 2025 | 0.4% | 明确排除汽车 OEM Telematics、移动宽带终端、CPE 与 PC | 这四类恰恰是 5G 模组的主要装机场景,用这个数会得出「5G 没机会」的错误结论 |
| Counterpoint 2025 Q2 | 8%(同比 +57%) | 宽口径,含车联网、CPE、移动宽带、PC | 做 5G 存储测算必须用这个口径;本报告(4G)不受影响,但两者不可混用 |
这张格局表里真正需要注意的是集中度和换班同时发生。集中度意味着销售动作可以收敛:4G 模组的存储选型决策权在不到十家模组厂手上,与其广撒网,不如把资源压在移远、广和通、美格、日海、中移物联这几家。换班意味着参考设计清单会重新洗牌:海思 2026 年份额上升、展锐与高通份额下降,每一次平台切换都是外围器件清单重新定的窗口——老平台的料已经换不动了,新平台的料还没定死,这是唯一的入场时机。
2.4 分母:全球 4G 模组(Cat.4 及以上)约 1.35 亿块
分母是本报告最脆弱也最关键的一环。三家机构没有一家直接给出「4G Cat.4 及以上」的口径,所以只能从 AIoT 星图的制式拆分出发:Cat.4 1.00 亿片 + 4G 其他(Cat.6 / Cat.12)0.46 亿片 = 1.46 亿片,再保守取 1.35 亿块为工作值。
| 步骤 | 取值 | 依据 | 结果 |
|---|---|---|---|
| ① Cat.4 出货(2025E) | 1.00 亿片 | AIoT 星图研究院制式拆分 | — |
| ② 4G 其他(Cat.6 / Cat.12) | 0.46 亿片 | 同上 | — |
| ③ 两者合计(区间上限) | 1.46 亿片 | ① + ② | 本报告的分母上限 |
| ④ 区间下限 | 1.00 亿片 | 只取 Cat.4,不含高端制式 | 保守下沿 |
| ⑤ 本报告工作值 | 1.35 亿块 | 在 1.00—1.46 亿区间内取下沿偏上,理由是 4G 其他里仍有一部分是 Cat.4 级的存储配置 | 取值偏保守,TAM 不会被高估 |
| 口径 | 2025 出货 | 与工作值的关系 | 对 TAM 的影响 |
|---|---|---|---|
| 只算 Cat.4(区间下沿) | 1.00 亿块 | 工作值高出 35% | TAM 约 14.3 亿元,比本报告低 26% |
| 本报告工作值 | 1.35 亿块 | — | TAM 19.3 亿元,SAM 15.4 亿元 |
| Cat.4 + 4G 其他(区间上限) | 1.46 亿块 | 工作值低 8% | TAM 约 20.9 亿元,比本报告高 8% |
TAM 按加权单机存储价值 14.3 元折算(报告测算);上表仅用于说明分母取值的敏感度,不是新的预测。
本报告的 1.35 亿块是模组本身的年出货块数,不是模组所装入的整机台数。一颗 4G 模组装进工业路由器,这颗模组的板上存储算在本报告里,而路由器主板上其他的存储算在整机型报告里。两者的 TAM 存在包含关系,绝不可相加。另外两条约定:① Cat.1 / 4G / 5G 三份报告的分母互斥,可以相加;② NB-IoT 与 Cat.M 不属于本系列,西班牙 V16 联网应急信标 2025 年带动的约 3000 万片、2026 年再增约 1000 万片,都是 NB-IoT 的量,不得计入本报告的任何一个分母。
2.5 下游终端厂商格局:谁在为模组板上的 MCP 买单
这一节要回答一个很实际的问题:一颗 4G2GD2 装进 Cat.4 模组,到底是谁在决定用不用它。答案不是高通,也不是展锐——芯片方案商只提供参考设计,真正定 BOM 的是模组厂与整机厂。4G 模组的前四家占了约 62.8% 的出货,认清这张名单,比认清芯片份额更有用。
需要特别注意的口径:这里的「主要生产厂商」指的是下游模组厂与整机 / 终端制造商,不是上游的基带与 SoC 方案商。高通、展锐、海思做得再大,也不会为一颗 NAND MCP 的选型负责——它们只提供参考设计与外围器件清单。
| 层级 | 代表厂商 | 在产业链里的角色 | 对配套厂商的意义 |
|---|---|---|---|
| 模组厂(直接贴片方 + 付费方) | 移远通信(36%)、中国移动(11%)、日海智能(8%)、利尔达(TSR 7.8%)、广和通、美格智能、Telit Cinterion | 把基带做成模组,出参考设计、规格书与 SDK;4G 模组厂同时也是采购决策方 | 真正的客户。进参考设计 = 进了整个机型;前四家合计约 62.8% 的出货 |
| 整机厂 / 品牌方(需求定义方) | 工业路由器与 CPE 厂、POS 与 PDA 厂、车载 T-Box 厂、IPC 与表计厂、两轮车与资产追踪厂 | 定产品定义、定场景要求(温度、寿命、认证)、对模组厂提出规格 | 决定「要 −40 °C 还是 −25 °C」的是他们;工业与车载客户的要求最硬 |
| 芯片方案商 | 高通(主导 5G 与高端 4G)、紫光展锐、海思(2026 起份额上升)、翱捷、移芯、芯翼 | 提供基带与 SDK,指定外围器件清单 | 影响选型但不下单,价值在参考设计,不在采购量 |
| 运营商与认证机构 | 中国移动 / 电信 / 联通(入网与集采)、AT&T / T-Mobile、GCF / PTCRB、各国型号核准 | 制定入网测试、射频认证与集采规则 | 认证是准入门槛;美国 AT&T 计划 2025 年前停止新 4G 设备与模组认证,T-Mobile 未来两三年跟进 |
| 厂商 | 定位 | 份额或量级 | 主要客户 / 场景 | 技术方向 | 判断 |
|---|---|---|---|---|---|
| 移远通信 | 全球模组第一 | 36%(Counterpoint 2025),月产能 >3000 万片 | 工业路由器、CPE、车载、POS、IPC | EC20 R2.1(MDM9x15)一代打天下;同时布局 5G 与智能模组 | 头号目标。4G2GD2 与它现有配置完全对位,是唯一不需要改板就能切入的客户 |
| 中国移动(中移物联) | 运营商系模组厂 | 11%,同比 +45% | 两轮车、资产追踪、AI 玩具、政企集采 | 自研芯片(芯昇 SC700A)+ 集采驱动 | 增速最快的大客户;集采模式下价格敏感,但量极稳 |
| 日海智能 | 芯讯通 SIMCom + 龙尚 Longsung | 8%,同比 +37% | 工业 PC、智能表计、监控摄像头 | 2025 Q2 超越广和通升至第三 | 工业场景占比高,对 −40 °C 与长供货的要求最硬 |
| 利尔达 | 模组 + 方案商 | TSR 口径 7.8%,同比 +69% | Cat.1 bis 为主,韩国 / 东南亚 / 欧洲出海 | 用 Cat.1 bis 替代 LTE-M 做 Telematics 与资产追踪 | 增速最快但以 Cat.1 为主,4G 侧是跟随型机会 |
| 广和通 | 模组厂,4G / 5G 双线 | Counterpoint 未单独披露 2025 全年份额 | FWA / CPE、车载、POS、工业路由 | 2026-06 把 FG550-EAU 的 LPDDR4x 从 8 Gb 降到 4 Gb | 明确信号:降容是他们当下愿意配合的方向,是佰维之外最值得谈的一家 |
| 美格智能 | 模组 + 智能模组 | Counterpoint 未单独披露 | 5G RedCap(SRM813Q)、智能模组(SRM935U) | SRM813Q 与 4G Cat.4 Pin-to-Pin | RedCap 与 Cat.4 同板级架构,存储需求落在同一容量区间 |
| Telit Cinterion | 中国以外第一 | 未披露绝对份额,同比 +13% | 欧洲与北美的 Telematics、医疗、能源 | 高可靠与长生命周期 | 宽温与 10 年供货是硬指标,是 −40 °C 型号最重要的验证场 |
| 客户类型 | 主控国产化 | 存储国产化 | 导入周期 | 采购模式 | 技术驱动 |
|---|---|---|---|---|---|
| 移远通信(4G 标准模组) | 中—高 | 高 | 3—6 个月 | 年框 + 竞价 | 成本 + 供货稳定性 |
| 中移物联(集采机型) | 高 | 高 | 2—4 个月 | 集采 + 年框 | 价格主导,量极大 |
| 日海智能(工业 / 表计) | 中 | 中 | 9—18 个月 | 项目制定点 | −40 °C + 10 年供货 |
| 广和通(FWA / 车载) | 中 | 中 | 6—12 个月 | 项目制定点 | 降容优化 + 窄 BOM |
| 美格智能(RedCap / SOM) | 中 | 中—低 | 6—12 个月 | 项目制定点 | Pin-to-Pin 兼容 + 容量收敛 |
| Telit Cinterion(海外工业) | 低—中 | 低—中 | 9—18 个月 | 全球平台选型 | 宽温 + 长期供货 + 认证齐全 |
| 白牌 / 中小模组厂 | 高 | 高 | 1—3 个月 | 现货 + 比价 | 价格主导,供货要快 |
份额数据:Counterpoint 2025 全年出货份额(移远 36%、中国移动 11%、日海 8%),利尔达 7.8% 为 TSR 口径;广和通与美格智能的 2025 全年份额机构未单独披露,本报告不编造数字。国产化程度为按公开客户导入信息的定性判断,非精确统计;导入周期为行业经验区间。
本节的厂商名单与份额来自 Counterpoint 与 TSR 的公开披露,但各家 4G 模组的具体存储采购量与份额均无权威统计。本报告不编造份额数字,改用「客户类型 × 采购特征」的定性分层来指导资源投放。唯一可以量化的是集中度:移远 36% + 中国移动 11% + 日海 8% + 利尔达 7.8% = 约 62.8%测算,这是本报告最有指导意义的一个下游结构数字——拿下前四家,就等于拿下了 4G 侧近三分之二的量。
① 先把 4G2GD2 按「不改板替换」的方式推给移远。EC20 R2.1 是 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2,XT61M4G8D2TA 同样是 4 Gb + 2 Gb、BGA162 已量产——这是本系列里唯一一个不需要说服客户改设计的切入点。动作是把这两颗料的封装、引脚与温度曲线做成对照表直接送样,而不是先谈价格。② 把 −40 °C 版本做成 2026 年的第一优先级项目。日海智能的工业 PC 与表计、Telit 的 Telematics、广和通的车载机型,要的都是 −40~85 °C 与 10 年供货,导入周期 9—18 个月,但一旦进去就不会为了几分钱重过一轮认证。4 款量产 MCP 全部停在 −25 / −30 °C,这一条不解决,80% 的覆盖率就只是纸面数字。③ 抓住 2026—2027 的 DRAM 短缺窗口,用合封形态换份额。TSR 已预警 DRAM 短缺将冲击依赖 DDR3 / DDR4 的工业路由器与 2—3 GB LPDDR4 的 4G 智能模组。客户被迫重新选料的时候,MCP 把 DRAM 封在同一颗料里,供应链复杂度更低——这是销售话术里最有力的一条,但要提前把产能与供货承诺准备好,窗口只有几个季度。
3 · 用量分析
四档 BOM 差 4 倍,TAM 19.3 亿元、可覆盖 80%、SAM 15.4 亿元,缺口只有一个名字:温度。
3.1 出货量拆解:四档 BOM 差 4 倍,MCP 占前三档里的一半以上
把 4G 模组拆成四档,是因为这四档的板上存储形态根本不是一回事:前三档(入门、主流、高端)里的入门与主流走的是 NAND MCP,第四档(4G 智能模组)走的是 eMMC + LPDDR,与手机架构同源。用一个平均数字代表整个品类会严重失真。
| 档位 | 典型应用 | 出货占比 | 年出货量 | 单机存储价值 | 板上存储 TAM |
|---|---|---|---|---|---|
| 入门 Cat.4 | 表计、追踪器、DTU、POS | 30% | 0.405 亿块 | 8.0 元 | 3.24 亿元 |
| 主流 Cat.4 | 工业路由器、CPE、IPC、车载 | 45% | 0.6075 亿块 | 13.5 元 | 8.20 亿元 |
| 高端 Cat.6 / Cat.12 | 高端 CPE、工业网关、多路视频 | 18% | 0.243 亿块 | 20.0 元 | 4.86 亿元 |
| 4G 智能模组(SOM) | 智能 POS、PDA、车载中控 | 7% | 0.0945 亿块 | 32.0 元 | 3.02 亿元 |
| 合计 | — | 100% | 1.35 亿块 | 14.3 元(加权) | 19.32 ≈ 19.3 亿元 |
出货量与 TAM 为报告测算;单机存储价值为 2026 Q3 行情中值。加权:0.30×8.0 + 0.45×13.5 + 0.18×20.0 + 0.07×32.0 = 14.315 元,取 14.3 元;合计 TAM 取 19.3 亿元,与第 10 章一致。
这张表里最要紧的一列是倒数第二列。主流 Cat.4 一档就贡献了 8.20 亿元,占全部 TAM 的 42.4%测算——而这一档恰恰是 XTX 有现成量产料完全对位的那一档。换句话说,4G 侧最大的一块钱,就摆在 4G2GD2 这一颗料的正对面。反面是 4G 智能模组:它只占 7% 的量,却要 32 元的单机价值,而 XTX 在这一档没有量产型号(8 GB 已 LTB、16 GB 仍在 CS)。
3.2 单机存储用量:一颗 MCP 就是整块板子的全部存储
4G 模组的存储层次比 Wi-Fi 与 Cat.1 都简单:没有 Boot NOR,也没有外挂 PSRAM。整块板子的存储就是一颗 NAND MCP——NAND 放固件与文件系统,DRAM 侧(DDR2 / LPDDR2)做运行内存,两者封在同一颗 BGA162 里。只有高端 Cat.6 / Cat.12 会走到 4—8 Gb 分立 NAND,只有 4G 智能模组会走到 eMMC 8—16 GB + LPDDR。
| 机型 / 档位 | 平台 | 官方标注(字节) | 折算 bit | XTX 对应料号 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|
| 移远 EC20 R2.1 | 高通 MDM9x15,Cat.4,DL 150 Mbps | 512 MB NAND + 256 MB LPDDR2 | 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2 | XT61M4G8D2TA(4G2GD2) | MP |
| 入门 Cat.4 | — | 256 MB NAND + 128 MB LPDDR2 | 2 Gb + 1 Gb | XT61M2G8C2TM(2G1GD2) | MP |
| 精简 Cat.4 | — | 128 MB NAND + 128 MB LPDDR2 | 1 Gb + 1 Gb | XT61M1G8C2TM(1G1GD2) | MP |
| 中高配 Cat.4 | — | 256 MB NAND + 256 MB LPDDR2 | 2 Gb + 2 Gb | XT61M2G8D2TA(2G2GD2) | MP |
| 高端 Cat.6 / Cat.12 | — | 4—8 Gb NAND + 2—4 Gb LPDDR2 / LPDDR3 | 同上(已是 bit 口径) | PPI NAND / SPI NAND 1—8 Gb | 11 款 MP |
| 4G 智能模组(SOM) | — | eMMC 8—16 GB + LPDDR | eMMC 按 byte 计,不折算 | 无量产型号 | 8 GB LTB / 16 GB CS |
官方规格书以字节(MB)标注,本表已按乘 8 换算为 bit(Mb / Gb);eMMC 是唯一保留 byte 单位的品类。三类 NAND 形态的机会排序:SPI NAND > PPI NAND > SD NAND;旧平台(MDM9x15 / MDM9x07 / 展锐老 4G)多用 PPI NAND,新设计优先 SPI NAND。
| 型号 | 容量编码 | 含义 | 状态 | 封装 | 温度 |
|---|---|---|---|---|---|
| XT61M1G8C2TM-B8BEA | 1G1GD2 | 1 Gb NAND + 1 Gb DDR2 | MP | BGA162 8×10.5×1.0 mm | −25~+85 °C |
| XT61M2G8C2TM-B8BEA | 2G1GD2 | 2 Gb NAND + 1 Gb DDR2 | MP | BGA162 | −25~+85 °C |
| XT61M2G8D2TA-B8BEA | 2G2GD2 | 2 Gb NAND + 2 Gb DDR2 | MP | BGA162 | −30~+85 °C |
| XT61M4G8D2TA-B8BEA | 4G2GD2 | 4 Gb NAND + 2 Gb DDR2 | MP | BGA162 | −30~+85 °C |
| XT61M4G8D2XA-B8BEA | 4G2GD2 | 4 Gb NAND + 2 Gb DDR2 | UD | BGA162 | −25~+85 °C |
| XT63M4G8E6MU-CDBIA | 4G4GD4X | 4 Gb NAND + 4 Gb LPDDR4X | SS | BGA149 8×9.5×0.8 mm | −40~+85 °C |
厂商产品库实测(2026-08 扫描,共 535 款存储)。MCP 容量编码写法:4G2GD2 = 4 Gb NAND + 2 Gb DDR2;4G4GD4X = 4 Gb NAND + 4 Gb LPDDR4X。⚠ 4 款量产 MCP 的低温只到 −25 / −30 °C,不满足工业级 −40 °C;唯一 −40 °C 的 XT63M4G8E6MU 对准 5G RedCap,仍在 SS 送样。
本报告里 NAND、NOR、DRAM 一律用 bit(Mb / Gb),只有 eMMC 用 byte(MB / GB)。官方规格书里写的是字节,引用时必须乘 8 换算:128 MB = 1 Gb、256 MB = 2 Gb、512 MB = 4 Gb、1 GB = 8 Gb。所以移远 EC20 R2.1 的「512 MB NAND + 256 MB LPDDR2」在本报告里一律写成 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2。唯一的例外是 4G 智能模组的 eMMC 8—16 GB,它按行业惯例保留 byte 单位,不与三类 NAND 形态并列表述。
3.3 存储 TAM 测算:19.3 亿元,可覆盖 80%
按四档出货占比与单机存储价值量加权,2025 年全球 4G 模组(Cat.4 及以上)的板上存储 TAM 约 19.3 亿元测算,XTX 可覆盖比例 80%,对应可服务市场(SAM)15.4 亿元测算。这两个数都是三个蜂窝品类里最大的:Cat.1 是 4.71 亿元 / 2.92 亿元,5G 是 15.4 亿元 / 7.4 亿元。
| 档位 | 出货占比 | 单机存储价值(元) | 其中不可覆盖(元) | XTX 可覆盖(元) | 可覆盖占比 |
|---|---|---|---|---|---|
| 入门 Cat.4 · 1—2 Gb MCP | 30% | 8.0 | 0.0 | 8.0 | 100% |
| 主流 Cat.4 · 4 Gb + 2 Gb MCP | 45% | 13.5 | 0.0 | 13.5 | 100% |
| 高端 Cat.6 / Cat.12 · 4—8 Gb | 18% | 20.0 | 3.0 | 17.0 | 85% |
| 4G 智能模组 · eMMC 8—16 GB | 7% | 32.0 | 17.6 | 14.4 | 45% |
这张表是整份报告的核心。前两档可覆盖 100%,原因是 MCP 把 DRAM 和 NAND 封进同一颗料——客户下单买的是一颗料,XTX 交付的也是一颗料,「XTX 没有 LPDDR 单品」这个死穴根本没有被触及。入门 30% 加主流 45%,合计 75% 的量走合封,DRAM 已随 MCP 交付,不额外扣分。扣分只发生在两处:高端档的分立式 LPDDR2 / LPDDR3(扣 15%),以及 4G 智能模组的 eMMC 8—16 GB(扣 55%)。
| 口径 | 数值 | 说明 |
|---|---|---|
| 年出货量 | 1.35 亿块 | 2025 年,报告测算(见 2.4 节) |
| 加权单机存储价值 | 14.3 元 | 0.30×8.0 + 0.45×13.5 + 0.18×20.0 + 0.07×32.0 = 14.315 |
| 板上存储 TAM | 19.3 亿元 | 1.35 亿块 × 14.3 元 = 19.32 亿元 |
| MCP 两档(75% 的量) | 100% 可覆盖 | DRAM 已随合封交付,不额外扣分 |
| 高端档扣分 | 按 15% 扣 | 分立式 LPDDR2 / LPDDR3,XTX 无 LPDDR 产品线 |
| 智能模组扣分 | 按 55% 扣 | eMMC 8 GB 已 LTB、16 GB 仍在 CS,无量产型号 |
| 可覆盖比例 | 80% | 在上述扣分基础上,再计入 eMMC 8 GB LTB 的供给约束 |
| 可服务市场 SAM | 15.4 亿元 | 19.3 × 80% |
注:只按分档单机价值直接加权得到的理论覆盖率为 87.6%测算;本报告在此基础上对 4G 智能模组档追加了 「eMMC 8 GB 已 LTB、16 GB 仍在 CS」的供给约束,取 80% 为工作值,与第 10 章的分档表互为补充。
Cat.1 是 62%、5G 是 48%,4G 是 80%。差别不在 XTX 的产品线,而在客户的形态选择:Cat.1 有 35% 的量根本没外挂存储的位置,5G 有 48% 的量走 eMMC 4—8 GB(XTX 最空的档位),而 4G 有 75% 的量走 MCP。MCP 把 DRAM 和 NAND 封进同一颗 BGA162,客户买的是一颗料,XTX 交的也是一颗料——产品线缺口因此被结构性地绕过去了。这是三份报告里唯一一个「XTX 现有产品线与客户需求天然咬合」的品类,也是本系列里最应该优先投入的一块。
3.4 电源与驱动用量:宽输入是唯一有区分度的位置
4G 模组的电源比 Cat.1 重:Cat.4 与 Cat.6 的发射功率与带宽都更高,RF PA 瞬时电流更大,单机 4—6 颗器件(Buck ×2 + LDO ×2—3 + 负载开关)。工业路由器与车载机型还要 5—12 V 直挂能力。绝对金额只有 0.8—2.5 元,但有一颗的位置很特殊。
| 电源域 | 需求 | 器件数 | 关键指标 | 缺口判断 |
|---|---|---|---|---|
| RF PA 供电 Buck | 母线 3.4—4.2 V → RF PA,≥2 A | 1 颗 | 瞬态响应与峰值电流 | 有一定缺口;LTE 发射瞬间电流突变大,客户不会轻易换料,是入口型位置 |
| 基带与 IO 供电 Buck | → 1.8 V / 3.3 V,1—2 A | 1 颗 | 效率与小封装 | 无缺口,标准品即可 |
| 低噪声 LDO | → 1.8 V / 3.3 V,≥300 mA | 1—2 颗 | PSRR ≥ 70 dB,给 SIM 卡与时钟 | 无缺口,参数是到位的 |
| 宽输入 LDO / Buck | 5—12 V 直挂 → 3.3 V,数百 mA | 1 颗 | 输入耐压与低 Iq | 工业与车载机型唯一有区分度的位置 |
| 负载开关 / 门控 | 分域断电,压低 PSM 待机功耗 | 1 颗(可选) | 导通电阻与漏电流 | 缺口,库内仅 1 款且仍在研 |
器件数量为报告测算;单机电源价值 0.8—2.5 元。缺口判断见第 10 章按厂商产品库的逐条比对。
4G 模组单机电源价值只有 0.8—2.5 元,单独去推是不划算的。正确做法是把宽输入 LDO 与 MCP 打包成套片报给模组厂:MCP 是必须外挂的,电源是必须配套的,两者一起报可以降低客户的选型与认证成本。真正有区分度的是 5—12 V 直挂这一颗——工业路由器、车载 T-Box 与表计都要它,而消费级模组根本用不上。建议只针对工业与车载机型准备这一颗,不要为消费级机型做无差异的电源推广。
4 · 技术演进
容量从 1 Gb 走到 8 Gb,形态从分立走到 MCP,但真正的分水岭是温度,不是容量。
4.1 容量演进:从 1 Gb 到 8 Gb,分水岭在 EC20 这一档
判断 4G 模组的存储容量走到哪一档,最可靠的办法不是看预测,而是看出货量最大的那颗模组用的是什么配置。移远 EC20 R2.1 是 4G Cat.4 里生命周期最长、被抄次数最多的一颗参考设计,它的规格书写的是 512 MB NAND + 256 MB LPDDR2——按乘 8 换算就是 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2。这一档不是天花板,但它是出货量最集中的一档,占了主流 Cat.4 的 45%。
| 档位 | 代表机型 / 方案 | NAND(官方字节标注) | 折算为 bit | DRAM 侧 | XTX 对应型号 |
|---|---|---|---|---|---|
| 精简 Cat.4 | 低成本 Cat.4 与精简型模组 | 128 MB | 1 Gb | 1 Gb DDR2 | XT61M1G8C2TM(1G1GD2,量产) |
| 入门 Cat.4 | 公开规格的入门 Cat.4 方案 | 256 MB | 2 Gb | 1 Gb DDR2 | XT61M2G8C2TM(2G1GD2,量产) |
| 主流 Cat.4 | 移远 EC20 R2.1(高通 MDM9x15) | 512 MB | 4 Gb | 2 Gb LPDDR2 | XT61M4G8D2TA(4G2GD2,量产) |
| 中高配 Cat.4 | 带 OpenCPU 与应用分区的 Cat.4 | 256 MB | 2 Gb | 2 Gb DDR2 | XT61M2G8D2TA(2G2GD2,量产) |
| 高端 Cat.6 / Cat.12 | 车载、CPE、工业路由用高端 4G | 512 MB—1 GB | 4—8 Gb | 2—4 Gb LPDDR2 / 3 | XT63M4G8E6MU(4G4GD4X,送样)可覆盖 4 Gb + 4 Gb,但尚未量产 |
| 4G 智能模组(SOM) | 跑 Android / Linux 的 4G SOM | eMMC 8—16 GB(按 byte 计) | 不折算 | 2—3 GB LPDDR4X | 无量产型号:8 GB 为 LTB,32 / 64 GB 未量产 |
移远 EC20 R2.1 硬件设计手册与公开规格书;官方以字节(MB / GB)标注,NAND 与 DRAM 侧已按乘 8 换算为 bit(Gb),eMMC 按 byte 保留。XTX 型号与状态取自公司产品库。
这张表里最重要的是第三行。XT61M4G8D2TA(4G2GD2)在容量上与 EC20 R2.1 的 4 Gb NAND + 2 Gb LPDDR2 一一对应,且已经量产。这意味着在占 45% 的主流 Cat.4 档上,XTX 缺的不是产品,而是参考设计里的位置。反过来看最后一行:4G 智能模组要 8—16 GB 的 eMMC,XTX 的 eMMC 8 GB 是 LTB、32 / 64 GB 未量产,这一档目前是硬缺口,这也是第 3.3 节把智能模组档只算 45% 可覆盖的原因。所以这一章的结论只有一句:容量不是门槛,温度才是。
4.2 制式演进:Cat.4 已在 2025 年见顶,高端 4G 制式加速退场
4G 内部的结构变化比总量变化更剧烈。按 AIoT 星图研究院的拆分,Cat.4 从 2024 年的 9000 万片涨到 2025E 的 1.00 亿片后见顶,到 2030E 回落到 7000 万片;而 Cat.6 / Cat.12 这类「4G 其他」从 2025E 的 4600 万片掉到 2030E 的 1000 万片,五年降幅 78%。这个降幅远大于 Cat.4,因为高端 4G 的生态位正在被 5G 与 5G RedCap 两头蚕食。
| 制式 | 2025E 出货 | 2030E 出货 | 趋势判断 | 对存储的影响 |
|---|---|---|---|---|
| Cat.4 | 1.00 亿片 | 7000 万片 | 2025 年见顶后缓慢回落,仍是 4G 的绝对主体 | MCP 的主战场,1—4 Gb 为主 |
| Cat.6 | 约 3000 万片(估计) | 约 700 万片 | 被 5G 中端方案替代,退场最快 | 4—8 Gb 分立 NAND 的机会同步收窄 |
| Cat.12 及以上 | 约 1600 万片(估计) | 约 300 万片 | 仅存于车载与高端 CPE | 容量最高但量最小,投入产出比低 |
| 4G 智能模组(SOM) | 约 950 万块(报告测算) | 随算力需求上行 | 块数小但单机价值最高(32 元) | eMMC 8—16 GB,XTX 当前无量产型号 |
制式拆分为 AIoT 星图研究院数据;Cat.6 / Cat.12 的档内拆分为测算;4G 智能模组块数按第 3.1 节分档占比推算。
还有一个外部变量会加速高端 4G 的退场。AT&T 已在 2025 年前停止新增 4G 设备与模组的认证,T-Mobile 预计在未来两三年跟进。这意味着北美是最早把需求从高端 4G 推向 5G RedCap / eRedCap 的市场,而在北美做的车载、CPE 与工业路由项目,下一代平台大概率不再选 Cat.6 / Cat.12。对配套厂商的直接含义是:不要在 4—8 Gb 分立 NAND 上为高端 4G 单独投入,那个窗口在按季度关闭。
4.3 协议栈演进:从 AT 指令到 OpenCPU,固件体积是容量的直接推手
4G 模组的容量上涨,硬件侧的驱动因素其实很小——通信制式从 Cat.4 升到 Cat.6 并不必然需要更大的 NAND。真正把容量往上推的是软件:从「模组只跑协议栈、主控跑业务」的 AT 指令架构,转向「业务直接跑在模组上」的 OpenCPU 架构。一旦业务代码、文件系统、证书与升级备份都进模组,1 Gb 就不够用了。
| 软件形态 / 协议 | 作用 | 对固件体积的影响 | 对存储的直接影响 |
|---|---|---|---|
| AT 指令固件(传统) | 模组只做透传,业务在外部 MCU | 基线,协议栈 + 射频校准数据 | 1 Gb 起,精简档即可满足 |
| OpenCPU / 二次开发 | 客户业务代码直接在模组上运行 | 业务代码 + 文件系统 + 协议栈 | 从 1 Gb 推到 2—4 Gb,是主流档上 4 Gb 的主因 |
| TLS / 证书链 | 上云与设备身份认证 | 根证书、设备证书与密钥区需独立分区 | 需防篡改分区,容量再抬半档 |
| FOTA 与 A/B 备份 | 远程升级且失败可回滚 | 固件与文件系统各放两份 | 容量底线从 1 Gb 抬到 2 Gb 起 |
| GNSS 星历与日志 | 车载与资产追踪的轨迹缓存 | 离线轨迹与掉电日志要落盘 | 对写入寿命有要求,PPI / SPI NAND 优于 SD NAND |
| Android / Linux 系统盘 | 4G 智能模组(SOM) | 操作系统 + 应用 + 数据分区 | 直接跳到 eMMC 8—16 GB(按 byte 计) |
OpenCPU、FOTA 双备份、TLS 证书区、GNSS 轨迹缓存,这几件事的共同点是每一项都会多占容量,但没有一项会带来一颗新的基带芯片。所以 4G 模组的通信能力这些年只从 Cat.4 走到 Cat.6,板上 NAND 却从 1 Gb 走到了 8 Gb。对配套厂商来说,正确的动作不是跟着制式走,而是跟着软件形态走:只要客户还在往 OpenCPU 迁移,哪怕 Cat.4 的总出货在跌,单机容量与单机价值也仍然是上行的。这也解释了第 2.2 节那张 TAM 外推表里,为什么出货量见顶而 TAM 还能撑到 2026 年。
4.4 形态演进:分立转向 MCP,是 4G 与 Cat.1 最大的结构差异
4G 模组与 Cat.1 模组在存储形态上有一个根本差别:Cat.1 大量用单颗 NOR 或单颗 NAND,而 4G 因为要跑协议栈、要挂 DRAM,主流形态是 NAND 与 DRAM 的合封(MCP)。这个差别决定了一件事——在 4G 上,「没有 DRAM 单品」这个缺口是可以被绕过去的,而在只买单颗料的场景里绕不过去。
| 形态 | 组成与典型容量 | 适用档位 | 对配套的净影响 | 判断 |
|---|---|---|---|---|
| NAND MCP(合封) | NAND 1—4 Gb + DDR2 / LPDDR2 1—2 Gb,同封装 | 入门 30% + 主流 45% = 75% | 客户买一颗料,XTX 交一颗料,产品线缺口被结构性绕过 | 本报告的核心机会,必须做 |
| 分立 NAND + DRAM | PPI NAND 4—8 Gb + LPDDR2 / 3 2—4 Gb,两颗 | 高端 Cat.6 / Cat.12(18%) | XTX 无 LPDDR 单品,只能拿 NAND 那半颗 | 量在萎缩(五年 −78%),不建议单独投入 |
| SPI NAND(新设计) | 1—8 Gb,配主控内置或外挂 DRAM | 高端档的新设计 | XTX 有 60 款 SPI NAND / 16 款量产,供给充分 | 守增量,接口兼容性是门槛 |
| PPI NAND(存量) | 1—8 Gb,旧平台沿用 | 高端档的存量设计 | 23 款 / 11 款量产,老展锐与 MDM9x15 平台多用 | 守存量,随平台换代自然流失 |
| eMMC + LPDDR(SOM) | eMMC 8—16 GB(按 byte 计)+ LPDDR4X 2—3 GB | 4G 智能模组(7%) | eMMC 无 8 / 16 GB 量产型号,LPDDR 完全没有 | 当前是硬缺口,但单机价值最高(32 元) |
把上面这张表按「可拿到的价值 ÷ 需要投入的产能」排一遍,顺序非常清楚:NAND MCP > SPI NAND > PPI NAND > SD NAND。MCP 排第一不是因为它技术最难,而是因为它一个封装同时解决了 NAND 与 DRAM 两个料号,客户少管一颗料,XTX 也因此不必单独卖一颗自己没有的 LPDDR。SPI NAND 排第二,是因为新设计默认往串行接口走,XTX 的 60 款型号里已有 16 款量产,供给是够的。PPI NAND 只能守存量——它的生命周期绑定在 MDM9x15 / MDM9x07 与老展锐平台上,平台换代一天,它的量就少一天。
4.5 应用演进:工业与车载是唯一不打价格战的位置
4G 模组的应用重心正在从消费级往工业级迁移。消费级(MiFi、消费 IPC、共享类设备)比价激烈、年降凶狠、换料频繁;而工业与车载(工业路由、车载 T-Box、电力与能源采集、POS、工业 PC)要的是 −40~+85 °C、10 年供货与完整可追溯资料,导入周期 9—18 个月,但进去之后客户不会为了几分钱去重过一轮认证。
| 场景 | 对器件的要求 | 与消费级的差异 | 对存储的影响 |
|---|---|---|---|
| 消费级(MiFi / 消费 IPC) | 0~70 °C 即可,成本优先 | 基准,比价最激烈 | 容量小(1—2 Gb),价格弹性高 |
| 工业路由 / 工业 DTU | −40~+85 °C,7—10 年供货,高可靠 | 温度范围与供货承诺是硬指标 | 同容量可卖溢价,是 MCP 的主战场 |
| 车载 T-Box / 车载终端 | 车规级或准车规,−40~+85 °C | 认证周期最长,失败成本最高 | 容量中上(2—4 Gb),对温度与寿命要求最严 |
| 电力 / 能源采集 | −40~+85 °C,长生命周期 | 项目制采购,招标决定份额 | 容量中等,稳定性优先于成本 |
| POS / 金融终端 | −20~+70 °C,安全与防篡改 | 需要独立安全分区 | 容量中等,对数据保持与掉电保护要求高 |
| 4G 智能模组(工业 PC / 高端 IPC) | −20~+85 °C,eMMC 8—16 GB | 算力导向,需跑完整操作系统 | 单机价值最高(32 元),但 XTX 无量产 eMMC |
各场景的器件要求为按公开规格与项目招标条件的定性整理;温度范围与供货承诺为工业级项目的通用门槛。
工业路由、车载、电力、能源,这四个场景的共同门槛都是 −40 °C。而 XTX 目前 4 款量产的 NAND MCP 里,XT61M1G8C2TM 与 XT61M2G8C2TM 是 −25~+85 °C,XT61M2G8D2TA 与 XT61M4G8D2TA 是 −30~+85 °C——没有一颗够到 −40 °C。唯一覆盖 −40~+85 °C 的是 XT63M4G8E6MU(4G4GD4X),但状态是送样,不是量产。换句话说,应用演进把机会推到了工业侧,而温度把机会挡在了门外。本报告后面所有的建议,最终都指向这同一个动作:把 4G2GD2 与 2G2GD2 推到 −40 °C。